nanocső alapú memória – Az
egyik amerikai mikroelektronikai vállalat beszámolója szerint sikerült megtenniök egy olyan technológiai lépést,
amely áttörést jelenthet a nanocső alapú memóriák készítésében.
Többen is kísérleteznek olyan nagykapacitású, véletlen hozzáférésű memóriák (RAM) fejlesztésével, amelyek
alapelemei nanocsövek. A most kifejlesztett eszköz-prototípus sokmilliárd nanocsövet tartalmaz, amelyek összesen
10 Gbit mennyiségű adatot képesek tárolni. Az új technológia lényege, hogy a nanocsöveket nem próbálják valamilyen
szabályos rendben felvinni a szilíciumlapka felületére, hanem azokat véletlenszerűen helyezik el. Ezt követően azokat a
nanocsöveket, amelyek nem illeszkednek bele a szükséges rendbe, egyszerű maratással eltávolítják. A megmaradó,
a lapka felszínén futó elektródapárok között elhelyezkedő nanocsöveket ezután kötegekbe rendezik. Az egyes elemeket
parányi elektromos térrel lehet átbillenteni két különböző állapot között, ez a kétféle állapot tárolja végül is a
tárolt információkat hordozó egyeseket és nullákat. A legnagyobb problémát egyelőre az egyes kötegek címzése okozza,
de a fejlesztők szerint ez már csak technológiai finomítás kérdése. Az új típusú eszköz három éven belül a hagyományos
memóriák versenytársává válhat. Nagy előnye az újfajta memóriának, hogy a tárolt adatok nem vesznek el akkor sem, ha
az eszköznek megszűnik a feszültségellátása, ami azt is jelenti, hogy az ilyen memóriával készített számítógépek a
bekapcsolás után gyakorlatilag azonnal üzemkészek lehetnek. |
Összeállította: Egyed László Utolsó frissítés: 2003. december 31. © 2003 MTA |
|
Kapcsok a világháló felé | ||
¬ Nyitóoldal ® |