nanocső alapú memória – Az egyik amerikai mikroelektronikai vállalat beszámolója szerint sikerült megtenniök egy olyan technológiai lépést, amely áttörést jelenthet a nanocső alapú memóriák készítésében. Többen is kísér­leteznek olyan nagykapacitású, véletlen hozzáférésű memóriák (RAM) fejlesz­tésével, amelyek alapelemei nanocsövek. A most kifejlesztett eszköz-proto­típus sokmilliárd nanocsövet tartalmaz, amelyek összesen 10 Gbit mennyi­ségű adatot képesek tárolni. Az új technológia lényege, hogy a nanocsöveket nem próbálják valamilyen szabályos rendben felvinni a szilíciumlapka felületére, hanem azokat véletlenszerűen helyezik el. Ezt követően azokat a nanocsöveket, amelyek nem illeszkednek bele a szükséges rendbe, egyszerű maratással eltávolítják. A megmaradó, a lapka felszínén futó elektródapárok között elhelyezkedő nanocsöveket ezután kötegekbe rendezik. Az egyes elemeket parányi elektromos térrel lehet átbillenteni két különböző állapot között, ez a kétféle állapot tárolja végül is a tárolt információkat hordozó egyeseket és nullákat. A legnagyobb problémát egyelőre az egyes kötegek címzése okozza, de a fejlesztők szerint ez már csak technológiai finomítás kérdése. Az új típusú eszköz három éven belül a hagyományos memóriák versenytársává válhat. Nagy előnye az újfajta memóriának, hogy a tárolt ada­tok nem vesznek el akkor sem, ha az eszköznek megszűnik a feszült­ség­el­látása, ami azt is jelenti, hogy az ilyen memóriával készített számítógépek a bekapcsolás után gyakorlatilag azonnal üzemkészek lehetnek.