fotolitográfia – A mikroelektronikai eszközök gyártásánál használt el­járás, amelynek során a félvezető felületre felvitt speciális rétegen maszkot alakítanak ki a létrehozni kívánt szerkezetnek megfelelően. A speci­ális fény­érzékeny réteg a megvilágítás hatására eltávolíthatóvá válik; ahol nem érte fény, ott viszont megmarad. Az így kialakított maszk bizonyos részeket el­szigetel, másokat elérhetővé tesz például szennyezők bevitele, maratás, vagy más technológiai eljárások számára, amelyekkel a mikroelektronikai eszköz különböző szerkezeteit kialakítják. A gyártás során számos ilyen, néhány tized mikron vastag réteg kerül egymás fölé. A korábbi, kisebb integráltsági fokú eszközöknél a megvilágításra egyszerű fénysugarakat használtak, mivel azonban a fénysugár mérete határt szab a kialakítható szerkezet méretének, a nano-méretekhez közelítve újabban a megvilágítást speciális optikai eszkö­zökkel, lézerrel, röntgen- illetve gammasugarakkal valamint elektron- és ionsugarakkal végzik, a minél kisebb méretek elérése érdekében. Az ezzel a módszerrel elméletileg elérhető legkisebb méret 35 nm körül van, melyet a becslések szerint (International Semiconductor Roadmap) 2014-re érnek el. Ez alatt a méret alatt technológiaváltásra lesz szükség, az új technológia várhatóan a molekuláris nanotechnológia lesz.